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Dual, SiGe, High-Linearity, 1200MHz to 2000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit optimized for the Extended RF Band (see Table 1) . V CC = 5.0V, f RF = 1700MHz to 2000MHz, LO is
low-side injected for a 350MHz IF, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
50
45
40
35
CHANNEL ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
T C = -40°C, +25°C, +85°C
50
45
40
35
CHANNEL ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
50
45
40
35
CHANNEL ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
-10
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-10
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-10
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-15
T C = -40°C
-15
P LO = 0dBm
-15
V CC = 5.25V
-20
-20
P LO = -3dB     m
-20
-25
-30
T C = +85°C
T C = +25°C
-25
-30
-25
-30
V CC = 5.0V
-35
-40
-35
-40
P LO = +3dBm
-35
-40
V CC = 4.75V
1350
1450
1550
1650
1350
1450
1550
1650
1350
1450
1550
1650
50
40
30
20
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
T C = -40°C, +25°C, +85°C
50
40
30
20
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
50
40
30
20
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
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